Optická diagnostika poruch v křemíku
Disertační práce se zabývá optickou diagnostikou poruch v mříži křemíku. Monokrystalický Si stále zůstává nejpoužívanějším materiálem polovodičového průmyslu. Naším cílem bylo pomocí infračervené absorpční spektroskopie studovat jednak některé bodové defekty (intersticiální kyslík, substituční uhlík...
Uloženo v:
| Hlavní autor: | |
|---|---|
| Další autoři: | |
| Typ dokumentu: | VŠ práce nebo rukopis |
| Jazyk: | Čeština |
| Vydáno: |
2008
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://is.muni.cz/th/11284/prif_d/ |
| Shrnutí: | Disertační práce se zabývá optickou diagnostikou poruch v mříži křemíku. Monokrystalický Si stále zůstává nejpoužívanějším materiálem polovodičového průmyslu. Naším cílem bylo pomocí infračervené absorpční spektroskopie studovat jednak některé bodové defekty (intersticiální kyslík, substituční uhlík, dusík) v Czochralskiho i zonálním křemíku, ale i nebodové poruchy, které vznikají žíháním pouze v Czochralskiho křemíku (termodonory, kyslíkové precipitáty). Měření propustnosti křemíkových desek ve středním infračerveném oboru při teplotě kapalného dusíku zvyšuje citlivost metody stanovení koncentrace intersticiálního kyslíku i substitučního uhlíku oproti měření při pokojové teplotě. Toho lze s výhodou využít zejména u zonálního křemíku, který obvykle obsahuje velmi malé koncentrace příměsových atomů. V případě žíhaných vzorků Czochralskiho křemíku jsme mohli díky nízkoteplotním měřením rozlišit absorpční pásy intersticiálního kyslíku a kyslíkových precipitátů. Takto získaná absorpční s. In this dissertation we deal with optical diagnostics of defects in silicon lattice. Single-crystal Si still stays the most used material of semiconductor industry. Our goal was to use the infrared absorption to study point defects (interstitial oxygen, substitutional carbon, nitrogen) in the Czochralski and floating-zone silicon, and also other defects resulting from annealing in Czochralski silicon (thermodonors, oxygen precipitates). The accuracy of determination of the concentration of both interstitial oxygen and substitutional carbon by measurement of transmittance of silicon wafers in the mid-infrared range is higher at the temperature of liquid nitrogen than at the room temperature. This can be used particularly for the floating-zone silicon, which usually contains very small concentrations of impurity atoms. In the case of annealed samples of Czochralski silicon we could separate the contributions of interstitial oxygen and oxygen precipitates using low-temperature measure. |
|---|---|
| Popis jednotky: | Vedoucí práce: Josef Humlíček. |
| Fyzický popis: | 128 l. : il. |